材料高端分析
FIB 聚焦离子束切割
亚微米定点截面与透射样制备
1测试概述
FIB 利用聚焦 Ga⁺ 离子束在纳米精度下定点刻蚀、沉积与切割，配合 SEM 成像，在芯片/材料指定位置做截面剖挖、TEM 薄片制备与纳米加工。
2测试目的
- 定点截面观察纳米结构
- 制备 TEM 透射薄片
- 纳米级改性/连线修改
3适用标准
GB/T 相关 微束分析标准
ASTM E1508 相关显微分析
行业 FA 通用规程
行业失效分析通用方法
注：以上为行业常用参考标准，具体执行标准以受托实验室现行有效版本及 CNAS/CMA 认可范围为准。
4测试方法与流程
4.1 样品准备
4.2 测试条件与参数
| 参数项 | 要求/范围 | 说明 |
|---|
| 离子能量 | 5~30 kV | 粗切/精修 |
| 束流 | nA 粗切，pA 精修 | 控制损伤 |
| 保护沉积 | Pt/W 沉积 | 防离子损伤 |
| 定位 | SEM 导航+坐标 | 微米精度 |
4.3 测试步骤
- SEM 导航定位
- 沉积保护层
- 逐级离子刻蚀成截面
- SEM 观察
- 必要时提取 TEM 薄片
5主要设备与仪器
- 双束 FIB-SEM
- 气体沉积源
- 纳米操纵臂
- EBSD/EDS 探头
6结果与判定
主要结果参数
判定依据
以在目标位置获得无损伤截面/合格 TEM 样为成功；结构尺寸用于判定工艺/缺陷。
7注意事项
安全提示：Ga 离子源与高真空设备，遵守操作规范，勿暴露离子源。
- 先沉积保护层
- 粗切精修束流分开
- Ga 注入影响 TEM
- 坐标套准