材料高端分析
EBSD 背散射衍射分析
晶体取向与晶界织构成像
1测试概述
EBSD 在 SEM 中采集背散射衍射菊池花样，标定晶体取向，给出晶粒取向图、晶界分布、物相与织构，用于材料织构、晶粒变形与再结晶分析。
2测试目的
- 测晶粒取向/织构
- 晶界与物相分布
- 变形/再结晶分析
3适用标准
GB/T 相关 EBSD 方法
ASTM E2627
EBSD 晶粒尺寸测定
ISO 24173
EBSD 取向测量
注：以上为行业常用参考标准，具体执行标准以受托实验室现行有效版本及 CNAS/CMA 认可范围为准。
4测试方法与流程
4.1 样品准备
4.2 测试条件与参数
| 参数项 | 要求/范围 | 说明 |
|---|
| 倾转 | 样品倾转 70° | 获取菊池带 |
| 步长 | 0.05~1 μm | 按晶粒大小 |
| 加速电压 | 15~20 kV | SEM |
| 标定率 | >80% | 质量保证 |
4.3 测试步骤
- 电解抛光制样
- SEM 倾转样品
- 采集菊池花样
- 标定取向
- 生成取向/晶界图
5主要设备与仪器
- 带 EBSD 的 SEM
- EBSD 探头
- 电解抛光装置
- 分析软件
6结果与判定
主要结果参数
- 取向分布图 IPF
- 晶界分布图
- 织构/物相
- 晶粒尺寸
判定依据
依据取向与晶界数据评估织构强度、再结晶程度与晶粒尺寸，用于材料工艺与失效分析。
7注意事项
安全提示：SEM 高压真空设备，遵守规程。
- 制样无应变层是关键
- 标定率需达标
- 步长匹配晶粒大小
- 菊池花样需清晰