材料高端分析
AES 俄歇能谱分析
微区成分与深度剖析
1测试概述
AES 利用聚焦电子束激发俄歇电子，分析微区(纳米束斑)元素组成并可配合 Ar⁺ 溅射做深度剖析，适合小区域、薄膜与界面成分分析。
2测试目的
- 微区(<10 nm)元素分析
- 薄膜界面深度剖析
- 断口/微区污染识别
3适用标准
GB/T 相关 俄歇电子能谱
ASTM E984
AES 化学效应识别
ISO 18115 表面分析
注：以上为行业常用参考标准，具体执行标准以受托实验室现行有效版本及 CNAS/CMA 认可范围为准。
4测试方法与流程
4.1 样品准备
4.2 测试条件与参数
| 参数项 | 要求/范围 | 说明 |
|---|
| 电子束 | 3~10 keV，束斑 nm 级 | 微区 |
| 分析深度 | 1~3 nm | 表面灵敏 |
| 溅射 | Ar⁺ 深度剖析 | 逐层 |
| 检测 | 俄歇电子能量谱 | 定性定量 |
4.3 测试步骤
- 定位微区
- 采集俄歇谱
- 定性定量
- Ar 溅射深度剖析
- 给出成分-深度曲线
5主要设备与仪器
- AES 俄歇能谱仪
- Ar⁺ 溅射枪
- 电子束
- 数据系统
6结果与判定
主要结果参数
判定依据
依据俄歇峰判定元素及深度分布，用于分析界面氧化、偏析与薄膜成分。
7注意事项
安全提示：超高真空与电子束，遵守操作规程。
- 轻元素氢氦锂不灵敏
- 绝缘样品荷电
- 束斑小可做微区
- 定量为相对值