FA 失效分析

X-Ray 检测

无损透视内部键合、引线框架、芯片粘接与空洞

1测试概述

X-Ray 检测利用 X 射线穿透封装后不同材料的衬度差异,在不开封条件下成像观察芯片内部结构,包括键合引线(打线)形状与位置、芯片粘接层空洞、引线框架、内部异物等,是 FA 中最常用的无损筛查手段。

2测试目的

3适用标准

MIL-STD-883 Method 2002 Radiographic Inspection(X 射线/射线照相检查)
IPC-A-610 电子组件的可接受性(含 X 射线检查判读参考)

注:以上为行业常用参考标准,具体执行标准以受托实验室现行有效版本及 CNAS/CMA 认可范围为准。

4测试方法与流程

4.1 样品准备

4.2 测试条件与参数

参数项要求/范围说明
X 光管电压通常 40~130 kV 可调依封装材料与厚度选择
放大倍率10x ~ 数百倍观察整封装到单根键合线
视角正投影 + 倾斜旋转判断立体缺陷
分辨率亚微米~微米级由设备与焦点尺寸决定

4.3 测试步骤

  1. 开机预热并按规程校验成像质量;
  2. 将样品置于载物台,定位被测面;
  3. 先低倍全景观察整体结构;
  4. 对可疑区域放大并倾斜旋转多角度成像;
  5. 保存图像并标注异常位置。

5主要设备与仪器

6结果与判定

主要结果参数

判定依据

对照器件内部设计图或良品 X 光图像,出现断键、芯片裂纹、粘接空洞超标、内部金属异物等即判为内部异常,记录缺陷位置与严重程度。

7注意事项

安全提示:X 射线属电离辐射,设备须在封闭屏蔽门关闭状态下运行,严禁开门照射,操作人员须持证并定期剂量监测。