电子元器件失效分析

外观/内部目检

封装外部及开封后芯片内部的显微目检

1测试概述

外观/内部目检用显微镜检查封装表面、引脚、标记及开封后芯片表面、键合、引线框架、钝化层的异常,如开裂、腐蚀、金属化迁移、键合脱落、异物等,是失效分析的基础环节。

2测试目的

3适用标准

MIL-STD-883 Method 2010 Visual Inspection (External)
MIL-STD-883 Method 2017 Internal Visual Inspection
IPC-A-610 Acceptability of Electronic Assemblies

注:以上为行业常用参考标准,具体执行标准以受托实验室现行有效版本及 CNAS/CMA 认可范围为准。

4测试方法与流程

4.1 样品准备

4.2 测试条件与参数

参数项要求/范围说明
外部放大10×~40×整体与引脚
内部放大100×~500×芯片表面/键合
照明多角度/同轴光识别裂纹与腐蚀

4.3 测试步骤

  1. 低倍目检封装外部与引脚
  2. 高倍检查标记、表面裂纹
  3. (开封后)显微镜下检查芯片表面
  4. 检查键合丝/焊球与钝化层
  5. 拍照记录异常

5主要设备与仪器

6结果与判定

主要结果参数

判定依据

按 MIL-STD-883 对应缺陷判据,将异常分为致命缺陷、主要缺陷或次要缺陷,并判断与失效模式的相关性。

7注意事项

安全提示:开封后器件在显微镜下操作,注意锐边与残留酸液。